N-Ch 900V 4.7A 2.5Ω 150W
Описание
це N-канальный MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа. Транзистор предназначен для швидкої високовольтної комутації в импульсных источниках питания (SMPS), інверторах, PFC-вузлах, преобразователях та інших силовых каскадах.
Технические характеристики
- Тип / канал: N-канальный MOSFET
- Максимальное напряжение сток-исток (VDS): 900 В
- Максимальный постоянный ток стока (ID): 4,7 А
- Максимальный импульсный ток стока (IDM): ≈19 А
- Сопротивление открытого канала (RDS(on)): 2,5 Ом @10 В
- Пороговое напряжение затвор-исток (VGS(th)): 2…4 В
- Максимальное напряжение затвор-исток (VGS): ±20 В
- Максимальная рассеиваемая мощность (PD): 150 Вт
- Рабочая / максимальная температура перехода: -55…+150 °C
- Полный заряд затвора (Qg): ≈120 нКл
- Корпус: TO-247
Функционал
- Работа в інверторах
- Работа в вузлах PFC
Распиновка
Корпус TO-247, если смотреть на сторону с маркировкой, выводы вниз: 1. Gate (G, Затвор) 2. Drain (D, Сток) 3. Source (S, Исток). У неізольованому корпусі металлическая задняя пластина/фланец также соединена з Drain (D).
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Vishay Intertechnology |
Информация для заказа
- Цена: 299,28 ₴



