Транзистор полевой BUZ11A

Описание

це N-канальный силовой полевой транзистор (MOSFET) с изолированным затвором обогащенного типа. Він используется в низковольтных DC-DC преобразователях, автомобільній електроніці, драйверах двигателей, BMS и силовых ключах. Максимальное напряжение сток-исток становить 50 В.

Технические характеристики

• Тип / канал: N-канальный
• Максимальное напряжение сток-исток (VDS): 50 В
• Максимальний постійний ток стоку (ID): 30 А за карткою товару
• Максимальний імпульсний ток стоку (IDM): до 104 А для поширеної Infineon/Siemens-версії
• Сопротивление канала в открытом состоянии (RDS(on)): 40 мОм за карткою; у частини оригінальних ревізій около 55 мОм
• Порогова напряжение затвор-исток (VGS(th)): приблизительно 2,1…4 В
• Максимальное напряжение затвор-исток (VGS): ±20 В
• Максимальное мощность розсіювання (PD): 75 Вт
• Діапазон / максимальное температура переходу (TJ): -55…+150 °C
• Тип корпуса: TO-220AB

Функционал

• Комутація електричного навантаження
• Робои у ключевых каскадах перетворювачів питания
• Керування силовим навантаженням у драйверних схемах
• Керування питаниям в акумуляторних узлах

Распиновка

Транзистор виконаний у корпусі TO-220AB. Якщо дивитися на сторону с маркировкой (выводами вниз; для SMD — у стандартній орієнтації згідно креслення корпусу), основна цокольовка така: 1. Gate (G, Затвор) — управляющий вывод. 2. Drain (D, Сток) — силовой вывод; тепловая/металлическая площадка корпусу, якщо вона є, зазвичай також з’єднана зі стоком. 3. Source (S, Исток) — силовой вывод витоку. Для SOT-223/DPAK/D2PAK большая тепловая площадка электрически соответствует Drain (D).