N; 60V; 1,7A; 1,3W; 0,2 Ohm
Описание
це N-канальный MOSFET с изолированным затвором. Применяется в DC-DC перетворювачах, BMS, автомобільній електроніці, драйверах двигунів, UPS та силових ключах.
Технические характеристики
- Тип / канал: N-канальный MOSFET
- Максимальное напряжение сток-исток (VDS): 60 В
- Максимальный постоянный ток стока (ID): 1,7 А
- Максимальный импульсный ток стока (IDM): ≈6,8 А
- Сопротивление открытого канала (RDS(on)): max 0,2 Ом @10 В
- Пороговое напряжение VGS(th): 1…2 В
- Максимальное напряжение Gate-Source (VGS): ±20 В
- Рассеиваемая мощность (PD): 1,3 Вт
- Температурный диапазон / Tj max: -55…+150 °C
- Корпус: HD1
Функционал
- Работа в DC-DC перетворювачах
- Работа в BMS
- Работа в автомобільній електроніці
- Работа в драйверах двигунів
- Работа в UPS
- Силовая коммутация
Распиновка
Корпус HD1 / HVMDIP, 4 виводи: 1. Drain (D) 2. Gate (G) 3. Source (S) 4. Drain (D) — електрично з'єднаний із виводом 1. Два контакти Drain використовуються як одна силова точка.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Vishay Intertechnology |
Информация для заказа
- Цена: 51,04 ₴



