N-Ch 650V 8A 178W 0.82Ω@10V,4A 2V
Описание
це N-канальный MOSFET, VBsemi с изолированным затвором, призначений для високовольтної силової комутації. Основные области применения: SMPS, інвертори, PFC, перетворювачі, електронні баласти та інші імпульсні силові каскади.
Технические характеристики
- Тип / канал: N-канальный MOSFET, VBsemi
- Максимальное напряжение сток-исток (VDS): 650 В
- Максимальный постоянный ток стока (ID): 8 А
- Сопротивление открытого канала (RDS(on)): 0,82 Ом @10 В
- Пороговое напряжение VGS(th): приблизно 2…4 В
- Максимальное напряжение Gate-Source (VGS): ±30 В
- Рассеиваемая мощность (PD): 178 Вт за VBsemi-карткою
- Температурный диапазон / Tj max: -55…+150 °C
- Корпус: TO-220F
Функционал
- Работа в імпульсних джерелах живлення
- Работа в інверторах
- Работа в вузлах PFC
- Работа в електронних баластах
Распиновка
Корпус TO-220F, смотрим на сторону с маркировкой, ніжки вниз: 1. Gate (G) 2. Drain (D) 3. Source (S). Зовнішня задня поверхня FullPak електрично ізольована.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | PD |
Информация для заказа
- Цена: 55,10 ₴


