НИКОМ радио-маркет
Транзистор полевой IRFB11N50A, фото 2

Транзистор полевой IRFB11N50A

  • Готово к отправке
  • Код: A118072

87 ₴

Транзистор полевой IRFB11N50A
Транзистор полевой IRFB11N50AГотово к отправке
87 ₴

Компания временно не принимает заказы

возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
N-ch; 500V; 11A; 170W; 0.52 Ohm

Описание

IRFB11N50A — мощный высоковольтный N-канальный MOSFET-транзистор в корпусе TO-220AB, предназначенный для высокоскоростной коммутации в импульсных источниках питания, блоках бесперебойного питания, инверторах и схемах управления электродвигателями.

Распиновка при расположении транзистора стороной с маркировкой к себе, выводами вниз, слева направо: 1 — Gate (затвор), управляющий вывод; 2 — Drain (сток), центральный вывод, электрически соединенный с металлической подложкой корпуса; 3 — Source (исток).

Технические характеристики

  • Тип: N-канальный MOSFET
  • Максимальное напряжение сток-исток (VDSS): 500 В
  • Постоянный ток стока (ID): 11 А при температуре 25 °C; 7 А при 100 °C
  • Максимальный импульсный ток стока (IDM): 44 А
  • Сопротивление открытого канала (RDS(on)): до 0,52 Ом при VGS = 10 В
  • Пороговое напряжение затвора (VGS(th)): 2–4 В
  • Максимальное напряжение затвор-исток (VGS): ±30 В
  • Максимальная рассеиваемая мощность (PD): 170 Вт
  • Диапазон рабочих температур: -55...+150 °C
  • Корпус: TO-220AB

Функционал

  • Коммутация высоковольтных силовых нагрузок
  • Высокоскоростное переключение электрических цепей
  • Работа в импульсных источниках и блоках бесперебойного питания
  • Работа в инверторных схемах
  • Управление электродвигателями
Характеристики
Основные
ПроизводительVishay Intertechnology
Пользовательские характеристики
КорпусTO-220
Число каналов1
Максимальна робоча температура, °C150
Мінімальна робоча температура, °C-55
Напруга затвор-витік Vgs, Вольт30
Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт500
Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом0,52
ПолярностьN-Channel
Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт2-4
Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер11
Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт170
Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд14
Час закриття транзистора td(off), Наносекунд32
Информация для заказа
  • Цена: 87 ₴