N-ch; 600V; 15A; 0.28Ohm
Описание
це N-канальный високовольтний MOSFET с изолированным затвором, розрахований на високовольтну силову комутацію. Применяется в SMPS, інверторах, PFC, UPS, преобразователях і високовольтних ключових каскадах.
Технические характеристики
- Тип / канал: N-канальный високовольтний MOSFET
- Максимальное напряжение сток-исток (VDS): 600 В
- Максимальный постоянный ток стока (ID): 15 А
- Сопротивление открытого канала RDS(on): max 0,28 Ом @10 В
- Максимальное напряжение Gate-Source (VGS): ±30 В
- Рассеиваемая мощность (PD): ≈34 Вт (ізольований FullPak)
- Температура перехода / рабочий диапазон: -55…+150 °C
- Полный заряд затвора (Qg): ≈39 нКл
- Корпус: TO-220F
Функционал
- SMPS
- інверторах
- PFC
- UPS
- преобразователях
- високовольтних ключових каскадах
Распиновка
Корпус TO-220F / FullPak, вид на маркування, выводы вниз: 1. Gate (G) 2. Drain (D) 3. Source (S) Зовнішня задня поверхня електрично ізольована.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Vishay Intertechnology |
| Пользовательские характеристики | |
| Корпус | TO-220F |
| Число каналов | 1 |
| Максимальна робоча температура, °C | 150 |
| Мінімальна робоча температура, °C | -55 |
| Напруга затвор-витік Vgs, Вольт | 20 |
| Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт | 600 |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом | 0,28 |
| Полярность | N-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт | 2-4 |
| Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер | 15 |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт | 34 |
| Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд | 17 |
| Час закриття транзистора td(off), Наносекунд | 35 |
Информация для заказа
- Цена: 89,90 ₴



