N-ch; 30V; 100A; 42W; 0,0018 Ohm
Описание
це N-канальный MOSFET с изолированным затвором. Применяется в DC-DC перетворювачах, BMS, автомобільній електроніці, драйверах двигунів, UPS та силових ключах.
Технические характеристики
- Тип / канал: N-канальный MOSFET
- Максимальное напряжение сток-исток (VDS): 30 В
- Максимальный постоянный ток стока (ID): 100 А
- Сопротивление открытого канала (RDS(on)): max 2,2 мОм @10 В; 3,6 мОм @4,5 В
- Пороговое напряжение VGS(th): 1,3…2,3 В
- Максимальное напряжение Gate-Source (VGS): ±20 В
- Рассеиваемая мощность (PD): 42 Вт
- Температурный диапазон / Tj max: до +150 °C
- Полный заряд затвора (Qg): ≈34 нКл
- Ёмкости: Ciss ≈2,23 нФ
- Корпус: TSON Advance
Функционал
- Работа в DC-DC перетворювачах
- Работа в BMS
- Работа в автомобільній електроніці
- Работа в драйверах двигунів
- Работа в UPS
- Силовая коммутация
Распиновка
Корпус TSON Advance, вид сверху за стандартною силовою 8-контактною схемою цього сімейства: 1–3. Source (S) 4. Gate (G) 5–8. Drain (D). Нижня exposed/thermal pad, якщо є, також належить силовому вузлу Drain.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Toshiba |
| Пользовательские характеристики | |
| Корпус | TSON Advance |
| Число каналов | 1 |
| Максимальна робоча температура, °C | 150 |
| Мінімальна робоча температура, °C | -55 |
| Напруга затвор-витік Vgs, Вольт | 20 |
| Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт | 30 |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом | 0,0036 |
| Полярность | N-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт | 1,3-2,3 |
| Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер | 100 |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт | 42 |
| Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд | 14 |
| Час закриття транзистора td(off), Наносекунд | 68 |
Информация для заказа
- Цена: 33,06 ₴



