P-ch; 60V; 11A; 35W; 0,066 Ohm
Описание
це P-канальный MOSFET с изолированным затвором. Используется для верхньої комутації живлення, захисту від переполюсовки, DC-DC перетворювачів і силових ключів.
Технические характеристики
- Тип / канал: P-канальный MOSFET
- Максимальное напряжение сток-исток (VDS): -60 В
- Максимальный постоянный ток стока (ID): -11 А
- Сопротивление открытого канала (RDS(on)): ≈66 мОм за VBsemi-карткою
- Пороговое напряжение VGS(th): приблизно -1…-3 В
- Максимальное напряжение Gate-Source (VGS): ±20 В
- Рассеиваемая мощность (PD): 35 Вт
- Температурный диапазон / Tj max: -55…+175 °C
- Корпус: I-Pak
Функционал
- Работа в DC-DC перетворювачах
- Силовая коммутация
- Верхняя коммутация питания
- Защита от переполюсовки
Распиновка
Корпус I-Pak, смотрим на сторону с маркировкой, выводы вниз: 1. Gate (G, Затвор) 2. Drain (D, Сток) 3. Source (S, Исток). У неізольованому силовому корпусі металлическая задняя пластина/tab также электрически соединена з Drain.
Характеристики
| Пользовательские характеристики | |
|---|---|
| Производитель | VBsemi |
| Корпус | I-PAK |
| Число каналов | 1 |
| Максимальна робоча температура, °C | 150 |
| Мінімальна робоча температура, °C | -55 |
| Напруга затвор-витік Vgs, Вольт | 20 |
| Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт | 60 |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом | 0,08 |
| Полярность | P-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт | 1-2,5 |
| Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер | 11 |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт | 35 |
| Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд | 15 |
| Час закриття транзистора td(off), Наносекунд | 110 |
Информация для заказа
- Цена: 38,86 ₴



