(N-Ch) 30 V; 50 A; 0,0105 Ohm
Описание
це N-канальный MOSFET із інтегрованим Schottky-діодом с изолированным затвором. Применяется в DC-DC перетворювачах, BMS, автомобільній електроніці, драйверах двигунів, UPS та силових ключах.
Технические характеристики
- Тип / канал: N-канальный MOSFET із інтегрованим Schottky-діодом
- Максимальное напряжение сток-исток (VDS): 30 В
- Максимальный постоянный ток стока (ID): 55 А
- Максимальный импульсный ток стока (IDM): 100 А
- Сопротивление открытого канала (RDS(on)): max 10,5 мОм @10 В; 13 мОм @4,5 В
- Максимальное напряжение Gate-Source (VGS): ±20 В
- Рассеиваемая мощность (PD): ≈60 Вт
- Температурный диапазон / Tj max: -55…+150 °C
- Полный заряд затвора (Qg): typ ≈21 нКл
- Корпус: D-PAK
Функционал
- Работа в DC-DC перетворювачах
- Работа в BMS
- Работа в автомобільній електроніці
- Работа в драйверах двигунів
- Работа в UPS
- Силовая коммутация
Распиновка
Корпус D-PAK: логическая распиновка 1=Gate (G), 2=Drain (D), 3=Source (S). У 2-lead виконанні контакт Drain реалізований переважно великою металевою площадкою/tab; видимі ніжки — Gate і Source.
Характеристики
| Пользовательские характеристики | |
|---|---|
| Производитель | HXY |
| Корпус | D-PAK |
| Число каналов | 1 |
| Максимальна робоча температура, °C | 175 |
| Мінімальна робоча температура, °C | -55 |
| Напруга затвор-витік Vgs, Вольт | 20 |
| Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт | 30 |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом | 0,014 |
| Полярность | N-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт | 1,2-2,5 |
| Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер | 60 |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт | 41 |
| Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд | 9 |
| Час закриття транзистора td(off), Наносекунд | 53 |
Информация для заказа
- Цена: 59,74 ₴



