Корзина
НИКОМ радио-маркет
Корзина
Транзистор полевой  FDD6680AS, фото 2

Транзистор полевой FDD6680AS

  • Готово к отправке
  • Код: A118447

59,74 ₴

Минимальная сумма заказа на сайте — 200 ₴

Транзистор полевой  FDD6680AS
Транзистор полевой FDD6680ASГотово к отправке
59,74 ₴
+380 (96) 723-12-25
  • +380 (95) 427-17-95
  • +380 (93) 170-21-75
  • +380 (46) 266-50-90
+380 (96) 723-12-25
  • +380 (95) 427-17-95
  • +380 (93) 170-21-75
  • +380 (46) 266-50-90
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
(N-Ch) 30 V; 50 A; 0,0105 Ohm

Описание

це N-канальный MOSFET із інтегрованим Schottky-діодом с изолированным затвором. Применяется в DC-DC перетворювачах, BMS, автомобільній електроніці, драйверах двигунів, UPS та силових ключах.

Технические характеристики

  • Тип / канал: N-канальный MOSFET із інтегрованим Schottky-діодом
  • Максимальное напряжение сток-исток (VDS): 30 В
  • Максимальный постоянный ток стока (ID): 55 А
  • Максимальный импульсный ток стока (IDM): 100 А
  • Сопротивление открытого канала (RDS(on)): max 10,5 мОм @10 В; 13 мОм @4,5 В
  • Максимальное напряжение Gate-Source (VGS): ±20 В
  • Рассеиваемая мощность (PD): ≈60 Вт
  • Температурный диапазон / Tj max: -55…+150 °C
  • Полный заряд затвора (Qg): typ ≈21 нКл
  • Корпус: D-PAK

Функционал

  • Работа в DC-DC перетворювачах
  • Работа в BMS
  • Работа в автомобільній електроніці
  • Работа в драйверах двигунів
  • Работа в UPS
  • Силовая коммутация

Распиновка

Корпус D-PAK: логическая распиновка 1=Gate (G), 2=Drain (D), 3=Source (S). У 2-lead виконанні контакт Drain реалізований переважно великою металевою площадкою/tab; видимі ніжки — Gate і Source.

Характеристики
Пользовательские характеристики
ПроизводительHXY
КорпусD-PAK
Число каналов1
Максимальна робоча температура, °C175
Мінімальна робоча температура, °C-55
Напруга затвор-витік Vgs, Вольт20
Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт30
Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом0,014
ПолярностьN-Channel
Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт1,2-2,5
Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер60
Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт41
Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд9
Час закриття транзистора td(off), Наносекунд53
Информация для заказа
  • Цена: 59,74 ₴