(P-Ch) 40 V; 50 A; 0,012 Ohm
Описание
це P-канальный MOSFET с изолированным затвором. Используется для верхньої комутації живлення, захисту від переполюсовки, DC-DC перетворювачів і силових ключів.
Технические характеристики
- Тип / канал: P-канальный MOSFET
- Максимальное напряжение сток-исток (VDS): -40 В
- Максимальный постоянный ток стока (ID): -60 А silicon-limited; корпус обмежує приблизно -50 А
- Максимальный импульсный ток стока (IDM): -100 А
- Сопротивление открытого канала (RDS(on)): max 13 мОм @-10 В; 22 мОм @-4,5 В
- Пороговое напряжение VGS(th): typ ≈-2,1 В
- Максимальное напряжение Gate-Source (VGS): ±20 В
- Рассеиваемая мощность (PD): 93,7 Вт @Tc; 3 Вт @Ta
- Температурный диапазон / Tj max: -55…+175 °C
- Полный заряд затвора (Qg): ≈63 нКл
- Корпус: D-PAK
Функционал
- Работа в DC-DC перетворювачах
- Силовая коммутация
- Верхняя коммутация питания
- Защита от переполюсовки
Распиновка
Корпус D-PAK: логическая распиновка 1=Gate (G), 2=Drain (D), 3=Source (S). У 2-lead виконанні контакт Drain реалізований переважно великою металевою площадкою/tab; видимі ніжки — Gate і Source.
Характеристики
| Пользовательские характеристики | |
|---|---|
| Производитель | VBsemi |
| Корпус | D-Pak |
| Число каналов | 1 |
| Максимальна робоча температура, °C | 175 |
| Мінімальна робоча температура, °C | -55 |
| Напруга затвор-витік Vgs, Вольт | 20 |
| Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт | 40 |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом | 0,015 |
| Полярность | P-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт | 1,5-2,5 |
| Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер | 50 |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт | 136 |
| Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд | 15 |
| Час закриття транзистора td(off), Наносекунд | 60 |
Информация для заказа
- Цена: 87 ₴



