Транзистор полевой IRFD123

Описание

це N-канальный силовой полевой транзистор (MOSFET) с изолированным затвором обогащенного типа. Він используется в низковольтных DC-DC преобразователях, автомобільній електроніці, драйверах двигателей, BMS и силовых ключах. Максимальное напряжение сток-исток становить 80 В.

Технические характеристики

• Тип / канал: N-канальный
• Максимальное напряжение сток-исток (VDS): 80 В
• Максимальний постійний ток стоку (ID): 1,1 А
• Максимальний імпульсний ток стоку (IDM): 4,4 А
• Сопротивление канала в открытом состоянии (RDS(on)): до 0,40 Ом при VGS=10 В
• Порогова напряжение затвор-исток (VGS(th)): 2…4 В
• Максимальное напряжение затвор-исток (VGS): ±20 В
• Максимальное мощность розсіювання (PD): 1,0 Вт
• Діапазон / максимальное температура переходу (TJ): -55…+150 °C
• Тип корпуса: HEXDIP / HD1, 4 выводы

Функционал

• Комутація електричного навантаження
• Робои у ключевых каскадах перетворювачів питания
• Керування силовим навантаженням у драйверних схемах
• Керування питаниям в акумуляторних узлах

Распиновка

Корпус HEXDIP/HD1 имеет чотири фізичні выводы: Gate (G), Source (S) и два электрически соединенные Drain (D). Подвоєний сток використаний також для отвода тепла. Через існування разных механічних креслень IRFD-серії ориентироваться необходимо за ключем/формою корпусу и графическим рисунком у datasheet, а не лише за «лівий/правий» без урахування положения детали.