(N-CH) 500V; 8A; 125W; 0,85Ohm
Описание
це N-канальный MOSFET с изолированным затвором, призначений для високовольтної силової комутації. Основные области применения: SMPS, інвертори, PFC, перетворювачі, електронні баласти та інші імпульсні силові каскади.
Технические характеристики
- Тип / канал: N-канальный MOSFET
- Максимальное напряжение сток-исток (VDS): 500 В
- Максимальный постоянный ток стока (ID): 8 А
- Максимальный импульсный ток стока (IDM): ≈32 А
- Сопротивление открытого канала (RDS(on)): max ≈0,85 Ом @10 В
- Пороговое напряжение VGS(th): 2…4 В
- Максимальное напряжение Gate-Source (VGS): ±20 В
- Рассеиваемая мощность (PD): 125 Вт
- Температурный диапазон / Tj max: -55…+150 °C
- Полный заряд затвора (Qg): порядку 60 нКл
- Корпус: TO-220AB
Функционал
- Работа в імпульсних джерелах живлення
- Работа в інверторах
- Работа в вузлах PFC
- Работа в електронних баластах
Распиновка
Корпус TO-220AB, смотрим на сторону с маркировкой, выводы вниз: 1. Gate (G, Затвор) 2. Drain (D, Сток) 3. Source (S, Исток). У неізольованому силовому корпусі металлическая задняя пластина/tab также электрически соединена з Drain.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | IR |
| Пользовательские характеристики | |
| Корпус | TO-220 |
| Число каналов | 1 |
| Максимальна робоча температура, °C | 150 |
| Мінімальна робоча температура, °C | -55 |
| Напруга затвор-витік Vgs, Вольт | 20 |
| Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт | 500 |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом | 0,85 |
| Полярность | N-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт | 2-4 |
| Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер | 8 |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт | 125 |
| Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд | 14 |
| Час закриття транзистора td(off), Наносекунд | 49 |
Информация для заказа
- Цена: 24,94 ₴



