(N-Ch) 80V; 120A; 370W
Описание
це N-канальный MOSFET, VBsemi с изолированным затвором. Применяется в DC-DC перетворювачах, BMS, автомобільній електроніці, драйверах двигунів, UPS та силових ключах.
Технические характеристики
- Тип / канал: N-канальный MOSFET, VBsemi
- Максимальное напряжение сток-исток (VDS): 80 В
- Максимальный постоянный ток стока (ID): 120 А
- Максимальный импульсный ток стока (IDM): 225 А
- Сопротивление открытого канала (RDS(on)): 6 мОм @10 В; 10 мОм @4,5 В
- Пороговое напряжение VGS(th): 2,5…4,5 В (typ ≈3 В)
- Максимальное напряжение Gate-Source (VGS): ±20 В
- Рассеиваемая мощность (PD): 370 Вт
- Температурный диапазон / Tj max: -55…+175 °C
- Полный заряд затвора (Qg): typ 53,5 нКл; max 81 нКл
- Корпус: TO-263
Функционал
- Работа в DC-DC перетворювачах
- Работа в BMS
- Работа в автомобільній електроніці
- Работа в драйверах двигунів
- Работа в UPS
- Силовая коммутация
Распиновка
Корпус TO-263, смотрим на сторону с маркировкой, выводы вниз: 1. Gate (G, Затвор) 2. Drain (D, Сток) 3. Source (S, Исток). У неізольованому силовому корпусі металлическая задняя пластина/tab также электрически соединена з Drain.
Характеристики
| Пользовательские характеристики | |
|---|---|
| Производитель | VBsemi |
| Корпус | D2-PAK |
| Число каналов | 1 |
| Максимальна робоча температура, °C | 175 |
| Мінімальна робоча температура, °C | -55 |
| Напруга затвор-витік Vgs, Вольт | 20 |
| Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт | 80 |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом | 0,006 |
| Полярность | N-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт | 2,5-4,5 |
| Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер | 120 |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт | 370 |
| Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд | 26 |
| Час закриття транзистора td(off), Наносекунд | 54 |
Информация для заказа
- Цена: 119,48 ₴



