N; 30V; 8.5A; 1.5W
Описание
IRF7201 — N-канальный MOSFET-транзистор с низким сопротивлением открытого канала, предназначенный для поверхностного монтажа и коммутации в низковольтных цепях питания.
Распиновка корпуса SO-8: выводы 1, 2, 3 — Source (исток); вывод 4 — Gate (затвор); выводы 5, 6, 7, 8 — Drain (сток).
Технические характеристики
- Тип: N-канальный MOSFET
- Максимальное напряжение сток-исток (VDS): 30 В
- Максимальный ток стока (ID): 7,3 А при температуре 25 °C
- Сопротивление открытого канала (RDS(on)): 0,03 Ом при VGS = 10 В
- Пороговое напряжение затвора (VGS(th)): 1 В
- Максимальное напряжение затвор-исток (VGS): ±20 В
- Максимальная рассеиваемая мощность (PD): 2,5 Вт
- Корпус: SO-8 (SOIC-8), SMD
Функционал
- Коммутация низковольтных нагрузок
- Импульсное переключение электрических цепей
- Управление питанием в низковольтных схемах
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | IR |
| Пользовательские характеристики | |
| Корпус | SO-8 |
| Число каналов | 1 |
| Максимальна робоча температура, °C | 150 |
| Мінімальна робоча температура, °C | -55 |
| Напруга затвор-витік Vgs, Вольт | 20 |
| Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт | 30 |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом | 0,03 |
| Полярность | N-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт | 1 |
| Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер | 7,3 |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт | 2,5 |
| Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд | 7 |
| Час закриття транзистора td(off), Наносекунд | 21 |
Информация для заказа
- Цена: 17,98 ₴


