Транзистор полевой IRFP4668
- Готово к отправке
- Код: A118429
238,96 ₴
Транзистор полевой IRFP4668Готово к отправке
238,96 ₴
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
N-Ch 130A; 220V; 700W
Описание
це N-канальный MOSFET с изолированным затвором. Применяется в DC-DC перетворювачах, BMS, автомобільній електроніці, драйверах двигунів, UPS та силових ключах.
Технические характеристики
- Тип / канал: N-канальный MOSFET
- Максимальное напряжение сток-исток (VDS): 220 В за JSMSEMI-карткою; оригінальний IRFP4668 Infineon — 200 В
- Максимальный постоянный ток стока (ID): 130 А
- Максимальный импульсный ток стока (IDM): до 520 А для оригінального IRFP4668
- Сопротивление открытого канала (RDS(on)): до 9,7 мОм @ VGS=10 В (оригінальний IRFP4668)
- Пороговое напряжение VGS(th): 3…5 В (typ 4 В)
- Максимальное напряжение Gate-Source (VGS): ±30 В
- Рассеиваемая мощность (PD): 700 Вт за JSMSEMI-карткою; оригінальний Infineon — 520 Вт
- Температурный диапазон / Tj max: -55…+175 °C
- Полный заряд затвора (Qg): typ ≈161 нКл
- Корпус: TO-247
Функционал
- Работа в DC-DC перетворювачах
- Работа в BMS
- Работа в автомобільній електроніці
- Работа в драйверах двигунів
- Работа в UPS
- Силовая коммутация
Распиновка
Корпус TO-247, смотрим на сторону с маркировкой, выводы вниз: 1. Gate (G, Затвор) 2. Drain (D, Сток) 3. Source (S, Исток). У неізольованому силовому корпусі металлическая задняя пластина/tab также электрически соединена з Drain.
Характеристики
| Пользовательские характеристики | |
|---|---|
| Производитель | JSMSEMI |
| Корпус | TO-247 |
| Число каналов | 1 |
| Максимальна робоча температура, °C | 150 |
| Мінімальна робоча температура, °C | -55 |
| Напруга затвор-витік Vgs, Вольт | 20 |
| Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт | 220 |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом | 0,027 |
| Полярность | N-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт | 2-4 |
| Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер | 130 |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт | 700 |
| Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд | 55 |
| Час закриття транзистора td(off), Наносекунд | 1050 |
Информация для заказа
- Цена: 238,96 ₴