обратное напряжение до 40 В; используется вместо обычных диодов
Описание
Модуль идеального диода на MOSFET-транзисторах предназначен для пропускания постоянного тока в одном направлении с минимальным падением напряжения и блокировки обратного тока. Используется вместо обычных диодов и диодов Шоттки в аккумуляторных системах, солнечных электростанциях и других цепях питания постоянного тока.
Технические характеристики
- Тип модуля: идеальный диод
- Тип силового элемента: MOSFET
- Максимальный ток: 60 А
- Сопротивление: 1,1 мОм
- Максимальная разница напряжений между входом и выходом: 40 В
- Тип тока: постоянный (DC)
- Направление проводимости: одностороннее
- Размеры: 50×34×18 мм
Функционал
- Пропускание тока от источника питания к нагрузке
- Блокировка обратного тока от нагрузки или аккумулятора к источнику
- Уменьшение падения напряжения по сравнению с обычными диодами
- Снижение потерь мощности и нагрева силовых элементов
- Защита солнечных панелей от обратного тока аккумулятора
- Повышение эффективности систем питания постоянного тока
Подключение
- IN+ / IN- — подключение источника постоянного тока
- OUT+ / OUT- — подключение нагрузки или аккумулятора
- При подключении необходимо соблюдать полярность и маркировку контактов модуля
- Разница напряжений между входом и выходом не должна превышать 40 В
Характеристики
| Основные атрибуты | |
|---|---|
| Производитель | China |
| Пользовательские характеристики | |
| Вхідна напруга, В | 40 |
| Захисні функції | зворотного струму |
| Максимальний струм, А | 60 |
| Назначение | захист від зворотного струму |
| Розмір, мм | 50×34×18 |
| Технологія / принцип роботи | MOSFET |
| Тип устройства | ідеальний діод |
Информация для заказа
- Цена: 570,72 ₴



