Транзистор полевой IRF2805S
- Готово к отправке
- Код: A118425
101,50 ₴
Минимальная сумма заказа на сайте — 200 ₴
Транзистор полевой IRF2805SГотово к отправке
101,50 ₴
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
N-ch 55V; 75A; 0,0047 Ом
Описание
це N-канальный MOSFET, VBsemi-версія с изолированным затвором обогащенного типа. Используется в DC-DC преобразователях, автомобильной электронике, BMS, драйверах двигателей, ключах нагрузки та інших импульсных силовых узлах.
Технические характеристики
- Тип / канал: N-канальный MOSFET, VBsemi-версія
- Максимальное напряжение сток-исток (VDS): 60 В за повною таблицею VBsemi; короткий рядок вказує 55 В
- Максимальный постоянный ток стока (ID): до 210 А у таблиці VBsemi; короткий рядок 75 А
- Сопротивление открытого канала (RDS(on)): ≈6 мОм у таблиці VBsemi; короткий рядок 4,7 мОм
- Пороговое напряжение затвор-исток (VGS(th)): 2…4 В
- Максимальное напряжение затвор-исток (VGS): ±20 В
- Максимальная рассеиваемая мощность (PD): ≈375 Вт
- Рабочая / максимальная температура перехода: -55…+175 °C
- Быстродействие / время переключения: td(on) ≈29 нс; td(off) ≈125 нс
- Корпус: D2-PAK
Функционал
- Работа в DC-DC преобразователях
- Работа в автомобильной электронике
- Работа в BMS
- Управление силовой нагрузкой у драйверних схемах
- Коммутация электрической нагрузки
Распиновка
Корпус D2-PAK, стандартний силовий SMD MOSFET: 1. Gate (G) 2. Drain (D) 3. Source (S). Большая тепловая площадка/фланец также электрически соединена з Drain (D).
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | PD |
| Пользовательские характеристики | |
| Корпус | D2-Pak |
| Число каналов | 1 |
| Максимальна робоча температура, °C | 175 |
| Мінімальна робоча температура, °C | -55 |
| Напруга затвор-витік Vgs, Вольт | 20 |
| Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт | 60 |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом | 0,006 |
| Полярность | N-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт | 2-4 |
| Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер | 210 |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт | 375 |
| Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд | 29 |
| Час закриття транзистора td(off), Наносекунд | 125 |
Информация для заказа
- Цена: 101,50 ₴