N-ch; 30V; 116A; 180W; 0.007 Ohm
Описание
це N-канальный Logic-Level MOSFET, VBsemi с изолированным затвором обогащенного типа. Используется в DC-DC преобразователях, автомобильной электронике, BMS, драйверах двигателей, ключах нагрузки та інших импульсных силовых узлах.
Технические характеристики
- Тип / канал: N-канальный Logic-Level MOSFET, VBsemi
- Максимальное напряжение сток-исток (VDS): 30 В
- Максимальный постоянный ток стока (ID): до 120 А
- Сопротивление открытого канала (RDS(on)): ≈4 мОм
- Пороговое напряжение затвор-исток (VGS(th)): 1…2,5 В
- Максимальное напряжение затвор-исток (VGS): ±20 В
- Максимальная рассеиваемая мощность (PD): ≈250 Вт
- Рабочая / максимальная температура перехода: -55…+175 °C
- Быстродействие / время переключения: td(on) ≈27 нс; td(off) ≈105 нс
- Корпус: TO-220
Функционал
- Работа в DC-DC преобразователях
- Работа в автомобильной электронике
- Работа в BMS
- Управление силовой нагрузкой у драйверних схемах
- Коммутация электрической нагрузки
Распиновка
Корпус TO-220, если смотреть на сторону с маркировкой, выводы вниз: 1. Gate (G, Затвор) 2. Drain (D, Сток) 3. Source (S, Исток). У неізольованому корпусі металлическая задняя пластина/фланец также соединена з Drain (D).
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | PD |
| Пользовательские характеристики | |
| Корпус | TO-220 |
| Число каналов | 1 |
| Максимальна робоча температура, °C | 175 |
| Мінімальна робоча температура, °C | -55 |
| Напруга затвор-витік Vgs, Вольт | 20 |
| Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт | 30 |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом | 0,004 |
| Полярность | N-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт | 1-2,5 |
| Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер | 120 |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт | 250 |
| Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд | 27 |
| Час закриття транзистора td(off), Наносекунд | 105 |
Информация для заказа
- Цена: 58,58 ₴



