N-ch; 800V; 7.8A; 190W; 1.2 Ohm
Описание
це N-канальный MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа. Транзистор предназначен для швидкої високовольтної комутації в импульсных источниках питания (SMPS), інверторах, PFC-вузлах, преобразователях та інших силовых каскадах.
Технические характеристики
- Тип / канал: N-канальный MOSFET
- Максимальное напряжение сток-исток (VDS): 800 В
- Максимальный постоянный ток стока (ID): 7,8 А
- Сопротивление открытого канала (RDS(on)): 1,2 Ом
- Пороговое напряжение затвор-исток (VGS(th)): 2…4 В
- Максимальное напряжение затвор-исток (VGS): ±20 В
- Максимальная рассеиваемая мощность (PD): 190 Вт
- Рабочая / максимальная температура перехода: -55…+150 °C
- Быстродействие / время переключения: td(on) ≈19 нс; td(off) ≈120 нс
- Корпус: TO-247
Функционал
- Работа в інверторах
- Работа в вузлах PFC
Распиновка
Корпус TO-247, если смотреть на сторону с маркировкой, выводы вниз: 1. Gate (G, Затвор) 2. Drain (D, Сток) 3. Source (S, Исток). У неізольованому корпусі металлическая задняя пластина/фланец также соединена з Drain (D).
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | PD |
| Пользовательские характеристики | |
| Корпус | TO-247 |
| Число каналов | 1 |
| Максимальна робоча температура, °C | 150 |
| Мінімальна робоча температура, °C | -55 |
| Напруга затвор-витік Vgs, Вольт | 20 |
| Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт | 800 |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом | 1,2 |
| Полярность | N-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт | 2-4 |
| Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер | 7,8 |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт | 190 |
| Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд | 19 |
| Час закриття транзистора td(off), Наносекунд | 120 |
Информация для заказа
- Цена: 128,76 ₴



