P-Ch; 200V; 1,8A;
Описание
це P-канальный MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа. Используется переважно для верхней коммутации питания, защиты от переполюсовки, DC-DC перетворювачів і силовых ключей.
Технические характеристики
- Тип / канал: P-канальный MOSFET
- Максимальное напряжение сток-исток (VDS): -200 В
- Максимальный постоянный ток стока (ID): -1,8 А
- Сопротивление открытого канала (RDS(on)): 3 Ом
- Пороговое напряжение затвор-исток (VGS(th)): -2…-4 В
- Максимальное напряжение затвор-исток (VGS): ±20 В
- Максимальная рассеиваемая мощность (PD): 20 Вт
- Рабочая / максимальная температура перехода: -55…+150 °C
- Быстродействие / время переключения: td(on) ≈8 нс; td(off) ≈10 нс
- Корпус: TO-220
Функционал
- Работа в DC-DC преобразователях
- Коммутация электрической нагрузки
- Защита линий питания від переполюсовки
- Верхняя комутація живлення
Распиновка
Корпус TO-220, если смотреть на сторону с маркировкой, выводы вниз: 1. Gate (G, Затвор) 2. Drain (D, Сток) 3. Source (S, Исток). У неізольованому корпусі металлическая задняя пластина/фланец также соединена з Drain (D).
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | IR |
| Пользовательские характеристики | |
| Корпус | TO-220 |
| Число каналов | 1 |
| Максимальна робоча температура, °C | 150 |
| Мінімальна робоча температура, °C | -55 |
| Напруга затвор-витік Vgs, Вольт | 20 |
| Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт | 200 |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом | 3 |
| Полярность | P-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт | 2-4 |
| Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер | 1,8 |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт | 20 |
| Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд | 8 |
| Час закриття транзистора td(off), Наносекунд | 10 |
Информация для заказа
- Цена: 42,92 ₴



