(N-Ch) 200V; 1A; 1,5Ohm; 3,3W
Описание
це N-канальный MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа. Используется в DC-DC преобразователях, автомобильной электронике, BMS, драйверах двигателей, ключах нагрузки та інших импульсных силовых узлах.
Технические характеристики
- Тип / канал: N-канальный MOSFET
- Максимальное напряжение сток-исток (VDS): 200 В
- Максимальный постоянный ток стока (ID): 1 А
- Сопротивление открытого канала (RDS(on)): 1,5 Ом
- Пороговое напряжение затвор-исток (VGS(th)): 1…3 В
- Максимальное напряжение затвор-исток (VGS): ±20 В
- Максимальная рассеиваемая мощность (PD): 3,3 Вт
- Рабочая / максимальная температура перехода: -55…+150 °C
- Корпус: SOT-223
Функционал
- Работа в DC-DC преобразователях
- Работа в автомобильной электронике
- Работа в BMS
- Управление силовой нагрузкой у драйверних схемах
- Коммутация электрической нагрузки
Распиновка
Корпус SOT-223: 1. Gate (G) 2. Drain (D) 3. Source (S). Велика теплова площадка — Drain (D).
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | STM |
| Пользовательские характеристики | |
| Корпус | SOT-223 |
| Число каналов | 1 |
| Максимальна робоча температура, °C | 150 |
| Мінімальна робоча температура, °C | -55 |
| Напруга затвор-витік Vgs, Вольт | 20 |
| Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт | 200 |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом | 1,5 |
| Полярность | N-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт | 1-3 |
| Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер | 1 |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт | 3,3 |
Информация для заказа
- Цена: 27,26 ₴


