N-ch; 900V; 11,4A; 300W; 0,96 Ohm
Описание
це N-канальный высоковольтный MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа. Транзистор предназначен для швидкої високовольтної комутації в импульсных источниках питания (SMPS), інверторах, PFC-вузлах, преобразователях та інших силовых каскадах.
Технические характеристики
- Тип / канал: N-канальный высоковольтный MOSFET
- Максимальное напряжение сток-исток (VDS): 900 В
- Максимальный постоянный ток стока (ID): 11…11,4 А
- Сопротивление открытого канала (RDS(on)): 0,96 Ом
- Пороговое напряжение затвор-исток (VGS(th)): 3…5 В
- Максимальное напряжение затвор-исток (VGS): ±30 В
- Максимальная рассеиваемая мощность (PD): 300 Вт
- Рабочая / максимальная температура перехода: -55…+150 °C
- Быстродействие / время переключения: td(on) ≈60 нс; td(off) ≈130 нс
- Корпус: TO-3P
Функционал
- Работа в інверторах
- Работа в вузлах PFC
Распиновка
Корпус TO-3P, если смотреть на сторону с маркировкой, выводы вниз: 1. Gate (G, Затвор) 2. Drain (D, Сток) 3. Source (S, Исток). У неізольованому корпусі металлическая задняя пластина/фланец также соединена з Drain (D).
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ONS |
| Пользовательские характеристики | |
| Корпус | TO-3P |
| Число каналов | 1 |
| Максимальна робоча температура, °C | 150 |
| Мінімальна робоча температура, °C | -55 |
| Напруга затвор-витік Vgs, Вольт | 30 |
| Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт | 900 |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом | 1,1 |
| Полярность | N-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт | 3-5 |
| Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер | 11 |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт | 300 |
| Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд | 60 |
| Час закриття транзистора td(off), Наносекунд | 130 |
Информация для заказа
- Цена: 131,66 ₴



