P-Ch, MOSFET, Uds=30V, Id=20A, Rds=4.6mΩ
Описание
це P-канальный MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа. Используется переважно для верхней коммутации питания, защиты от переполюсовки, DC-DC перетворювачів і силовых ключей.
Технические характеристики
- Тип / канал: P-канальный MOSFET
- Максимальное напряжение сток-исток (VDS): -30 В
- Максимальный постоянный ток стока (ID): -20 А
- Сопротивление открытого канала (RDS(on)): max 4,6 мОм @-10 В; 6,8 мОм @-4,5 В
- Пороговое напряжение затвор-исток (VGS(th)): -1,3…-2,4 В
- Максимальное напряжение затвор-исток (VGS): ±20 В
- Максимальная рассеиваемая мощность (PD): 2,5 Вт
- Рабочая / максимальная температура перехода: -55…+150 °C
- Быстродействие / время переключения: td(on) ≈25 нс; td(off) ≈65 нс
- Корпус: SO-8
Функционал
- Работа в DC-DC преобразователях
- Коммутация электрической нагрузки
- Защита линий питания від переполюсовки
- Верхняя комутація живлення
Распиновка
Корпус SO-8, одиночний силовий MOSFET, вид сверху: 1–3. Source (S) 4. Gate (G) 5–8. Drain (D).
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | PD |
| Пользовательские характеристики | |
| Корпус | SO-8 |
| Число каналов | 1 |
| Максимальна робоча температура, °C | 150 |
| Мінімальна робоча температура, °C | -55 |
| Напруга затвор-витік Vgs, Вольт | 20 |
| Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт | 30 |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом | 0,0046 |
| Полярность | P-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт | 1,3-2,4 |
| Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер | 20 |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт | 2,5 |
| Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд | 25 |
| Час закриття транзистора td(off), Наносекунд | 65 |
Информация для заказа
- Цена: 37,70 ₴


