(N P-Ch) N-30V; 2W; 6,5A; 0,029Ohm; P-30V; 4,9A; 0,058Ohm;
Описание
це комплементарна MOSFET-збірка N+P в одному корпусі. Вона призначена для компактних напівмостових каскадів, DC-DC перетворювачів, керування живленням та ключів навантаження.
Технические характеристики
- Тип / канал: комплементарна MOSFET-збірка N+P
- Максимальное напряжение сток-исток (VDS): N: +30 В; P: -30 В
- Максимальный постоянный ток стока (ID): N: +6,5 А; P: -4,9 А
- Сопротивление открытого канала (RDS(on)): N max 29 мОм @10 В; P max 58 мОм @-10 В
- Пороговое напряжение затвор-исток (VGS(th)): N ≥≈1 В; P ≤≈-1 В
- Максимальное напряжение затвор-исток (VGS): ±20 В
- Максимальная рассеиваемая мощность (PD): 2 Вт
- Рабочая / максимальная температура перехода: до +150 °C
- Корпус: SO-8
Функционал
- Работа в DC-DC преобразователях
- Коммутация электрической нагрузки
- Работа в полумостовых схемах
Распиновка
Корпус SO-8, комплементарна пара N+P: 1. S1 2. G1 3. S2 4. G2 5. D2 6. D2 7. D1 8. D1. Канали електрично незалежні; один N-канальный, другий P-канальный.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | PD |
Информация для заказа
- Цена: 26,10 ₴


