N-ch; 200V; 2.6A; 25W; 1.5 Ohm
Описание
це N-канальный MOSFET, VBsemi с изолированным затвором обогащенного типа. Используется в DC-DC преобразователях, автомобильной электронике, BMS, драйверах двигателей, ключах нагрузки та інших импульсных силовых узлах.
Технические характеристики
- Тип / канал: N-канальный MOSFET, VBsemi
- Максимальное напряжение сток-исток (VDS): 200 В
- Максимальный постоянный ток стока (ID): 5 А
- Сопротивление открытого канала (RDS(on)): max ≈0,85 Ом
- Пороговое напряжение затвор-исток (VGS(th)): typ ≈3 В
- Максимальное напряжение затвор-исток (VGS): ±20 В
- Максимальная рассеиваемая мощность (PD): 42 Вт
- Рабочая / максимальная температура перехода: -55…+150 °C
- Быстродействие / время переключения: td(on) ≈7 нс; td(off) ≈19 нс
- Корпус: D-Pack
Функционал
- Работа в DC-DC преобразователях
- Работа в автомобильной электронике
- Работа в BMS
- Управление силовой нагрузкой у драйверних схемах
- Коммутация электрической нагрузки
Распиновка
Корпус D-Pack, стандартний силовий SMD MOSFET: 1. Gate (G) 2. Drain (D) 3. Source (S). Большая тепловая площадка/фланец также электрически соединена з Drain (D).
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | PD |
| Пользовательские характеристики | |
| Корпус | D-Pack |
| Число каналов | 1 |
| Максимальна робоча температура, °C | 150 |
| Мінімальна робоча температура, °C | -55 |
| Напруга затвор-витік Vgs, Вольт | 20 |
| Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт | 200 |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом | 0,85 |
| Полярность | N-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт | 2-4 |
| Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер | 5 |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт | 42 |
| Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд | 7 |
| Час закриття транзистора td(off), Наносекунд | 19 |
Информация для заказа
- Цена: 27,26 ₴



