Транзистор полевой IRF1310N

Описание

це N-канальный силовой полевой транзистор (MOSFET) с изолированным затвором обогащенного типа. Він используется в DC-DC преобразователях, инверторах, драйверах, силовых ключах и импульсных источниках питания. Максимальное напряжение сток-исток становить 100 В.

Технические характеристики

• Тип / канал: N-канальный
• Максимальное напряжение сток-исток (VDS): 100 В
• Максимальний постійний ток стоку (ID): 55 А за карткою VBsemi
• Максимальний імпульсний ток стоку (IDM): не вказаний у картці VBsemi
• Сопротивление канала в открытом состоянии (RDS(on)): 36 мОм при VGS=10 В за карткою
• Порогова напряжение затвор-исток (VGS(th)): не вказано в картці VBsemi
• Максимальное напряжение затвор-исток (VGS): не вказано в картці VBsemi
• Максимальное мощность розсіювання (PD): не вказано в картці VBsemi; оригінальний IRF1310N имеет 160 Вт
• Діапазон / максимальное температура переходу (TJ): не вказано в картці VBsemi
• Тип корпуса: TO-220AB

Функционал

• Комутація електричного навантаження
• Робои у ключевых каскадах перетворювачів питания
• Робои у ключевых каскадах інверторів
• Керування силовим навантаженням у драйверних схемах

Распиновка

Транзистор виконаний у корпусі TO-220AB. Якщо дивитися на сторону с маркировкой (выводами вниз; для SMD — у стандартній орієнтації згідно креслення корпусу), основна цокольовка така: 1. Gate (G, Затвор) — управляющий вывод. 2. Drain (D, Сток) — силовой вывод; тепловая/металлическая площадка корпусу, якщо вона є, зазвичай також з’єднана зі стоком. 3. Source (S, Исток) — силовой вывод витоку. Для SOT-223/DPAK/D2PAK большая тепловая площадка электрически соответствует Drain (D).