Транзистор полевой APM4953KC-TR

Описание

це двойной P-канальный MOSFET, тобто два польові транзистори в одному компактному корпусі SO-8. Він предназначен для коммутации питания, защиты от переполюсовки, управления аккумуляторными линиями и інших низковольтных силових узлов.

Технические характеристики

• Тип / канал: двойной P-канальный (2× P-MOSFET)
• Максимальное напряжение сток-исток (VDS): -30 В для каждого канала
• Максимальний постійний ток стоку (ID): до -4,9 А на канал (в зависимости от умов охолодження)
• Максимальний імпульсний ток стоку (IDM): до -30 А імпульсно
• Сопротивление канала в открытом состоянии (RDS(on)): порядку 0,053 Ом при VGS=-10 В; залежить від ревізії
• Порогова напряжение затвор-исток (VGS(th)): приблизительно -1…-3 В
• Максимальное напряжение затвор-исток (VGS): ±25 В
• Максимальное мощность розсіювання (PD): около 2,5 Вт для корпусу
• Діапазон / максимальное температура переходу (TJ): -55…+150 °C
• Тип корпуса: SO-8

Функционал

• Комутація електричного навантаження
• Захист ліній питания від переполюсовки
• Керування питаниям в акумуляторних узлах

Распиновка

Корпус SO-8, вид сверху, ключ/точка позначає вывод 1: 1. S1 — исток первого P-канала. 2. G1 — затвор первого P-канала. 3. S2 — исток второго P-канала. 4. G2 — затвор второго P-канала. 5. D2 — сток второго P-канала. 6. D2 — сток второго P-канала. 7. D1 — сток первого P-канала. 8. D1 — сток первого P-канала.