(N-Ch) 60V; 0,5A;
Описание
BS170 — кремниевый N-канальный MOSFET-транзистор общего назначения в корпусе TO-92, предназначенный для коммутации малых токов, быстрого переключения и усиления сигналов.
Технические характеристики
- Тип транзистора: MOSFET, DMOS
- Тип канала: N-канальный
- Максимальное напряжение сток-исток (VDS): 60 В
- Максимальный постоянный ток стока (ID): 500 мА
- Максимальный импульсный ток стока (IDM): до 1,2 А
- Пороговое напряжение затвора (VGS(th)): 0,8–3,0 В, типовое значение около 2,1 В
- Сопротивление открытого канала (RDS(on)): около 1,2–5 Ом при VGS = 10 В
- Максимальная рассеиваемая мощность: 350 мВт
- Корпус: TO-92
- Распиновка: пин 1 — сток (Drain, D); пин 2 — затвор (Gate, G); пин 3 — исток (Source, S)
Функционал
- Коммутация маломощных нагрузок
- Управление реле, двигателями постоянного тока и соленоидами малой мощности
- Управление светодиодными нагрузками
- Преобразование логических уровней
- Коммутация и усиление сигналов
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Fairchild Semiconductor |
| Пользовательские характеристики | |
| Корпус | TO-92 |
| Число каналов | 1 |
| Максимальна робоча температура, °C | 150 |
| Мінімальна робоча температура, °C | -55 |
| Напруга затвор-витік Vgs, Вольт | 20 |
| Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт | 60 |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом | 1,2 |
| Полярность | N-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт | 0,8-3 |
| Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер | 0,5 |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт | 0,83 |
| Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд | 10 |
| Час закриття транзистора td(off), Наносекунд | 10 |
Информация для заказа
- Цена: 15,08 ₴


