НИКОМ радио-маркет

Транзистор полевой BS170

  • Готово к отправке
  • Код: A118022

15,08 ₴

Транзистор полевой BS170
Транзистор полевой BS170Готово к отправке
15,08 ₴

Компания временно не принимает заказы

возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
(N-Ch) 60V; 0,5A;

Описание

BS170 — кремниевый N-канальный MOSFET-транзистор общего назначения в корпусе TO-92, предназначенный для коммутации малых токов, быстрого переключения и усиления сигналов.

Технические характеристики

  • Тип транзистора: MOSFET, DMOS
  • Тип канала: N-канальный
  • Максимальное напряжение сток-исток (VDS): 60 В
  • Максимальный постоянный ток стока (ID): 500 мА
  • Максимальный импульсный ток стока (IDM): до 1,2 А
  • Пороговое напряжение затвора (VGS(th)): 0,8–3,0 В, типовое значение около 2,1 В
  • Сопротивление открытого канала (RDS(on)): около 1,2–5 Ом при VGS = 10 В
  • Максимальная рассеиваемая мощность: 350 мВт
  • Корпус: TO-92
  • Распиновка: пин 1 — сток (Drain, D); пин 2 — затвор (Gate, G); пин 3 — исток (Source, S)

Функционал

  • Коммутация маломощных нагрузок
  • Управление реле, двигателями постоянного тока и соленоидами малой мощности
  • Управление светодиодными нагрузками
  • Преобразование логических уровней
  • Коммутация и усиление сигналов
Характеристики
Основные
ПроизводительFairchild Semiconductor
Пользовательские характеристики
КорпусTO-92
Число каналов1
Максимальна робоча температура, °C150
Мінімальна робоча температура, °C-55
Напруга затвор-витік Vgs, Вольт20
Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт60
Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом1,2
ПолярностьN-Channel
Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт0,8-3
Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер0,5
Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт0,83
Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд10
Час закриття транзистора td(off), Наносекунд10
Информация для заказа
  • Цена: 15,08 ₴