N-Ch; 60V; 30A; 70W; 0.028 Ohm
Описание
IRFZ34NS — N-канальный MOSFET-транзистор в корпусе D2PAK (TO-263) для поверхностного монтажа, предназначенный для коммутации больших токов в силовой электронике, импульсных источниках питания и системах управления электродвигателями.
Технические характеристики
- Тип транзистора: MOSFET
- Тип канала: N-канальный
- Максимальное напряжение сток-исток (VDSS): 55 В
- Максимальный ток стока (ID): 29 А при температуре корпуса 25 °C
- Сопротивление открытого канала (RDS(on)): 0,040 Ом при VGS = 10 В
- Максимальное напряжение затвор-исток (VGS): ±20 В
- Максимальная рассеиваемая мощность: 68 Вт
- Корпус: D2PAK (TO-263)
- Тип монтажа: SMD
Функционал
- Коммутация силовых нагрузок
- Работа в высокочастотных ШИМ-регуляторах
- Работа в DC-DC преобразователях
- Управление оборотами электродвигателей
- Работа в инверторах и автомобильной электронике
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | IR |
| Пользовательские характеристики | |
| Корпус | D2-PAK |
| Число каналов | 1 |
| Максимальна робоча температура, °C | 175 |
| Мінімальна робоча температура, °C | -55 |
| Напруга затвор-витік Vgs, Вольт | 20 |
| Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт | 60 |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом | 0,028 |
| Полярность | N-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт | 2-4 |
| Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер | 30 |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт | 70 |
| Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд | 10 |
| Час закриття транзистора td(off), Наносекунд | 31 |
Информация для заказа
- Цена: 48,14 ₴



