N-ch; 600V 8A 780mΩ@10V
Описание
це N-канальный MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа. Транзистор предназначен для швидкої високовольтної комутації в импульсных источниках питания (SMPS), інверторах, PFC-вузлах, преобразователях та інших силовых каскадах.
Технические характеристики
- Тип / канал: N-канальный MOSFET
- Максимальное напряжение сток-исток (VDS): 600 В
- Максимальный постоянный ток стока (ID): 8 А
- Сопротивление открытого канала (RDS(on)): max ≈780 мОм @10 В; ≈1,07 Ом @4,5 В
- Пороговое напряжение затвор-исток (VGS(th)): typ ≈3,5 В
- Максимальное напряжение затвор-исток (VGS): ±30 В
- Рабочая / максимальная температура перехода: до +150 °C
- Корпус: TO-220AB
Функционал
- Работа в інверторах
- Работа в вузлах PFC
Распиновка
Корпус TO-220AB, если смотреть на сторону с маркировкой, выводы вниз: 1. Gate (G, Затвор) 2. Drain (D, Сток) 3. Source (S, Исток). У неізольованому корпусі металлическая задняя пластина/фланец также соединена з Drain (D).
Информация для заказа
- Цена: 49,88 ₴



