N-ch; 50V; 10mA; 300mW; Кш=1dB маломощный малошумящий
Описание
це N-канальный JFET (польовий транзистор з керуючим p-n переходом, режим збіднення). На відміну від звичайного enhancement MOSFET, такий транзистор проводить струм уже при VGS≈0 і керується зміною напруги затвор-витік. Основні сфери застосування: малошумні підсилювачі, вхідні каскади аудіоапаратури, генератори, аналогові комутатори та високoомні вимірювальні входи.
Технические характеристики
- Тип: N-канальный JFET (польовий транзистор з керуючим p-n переходом, режим збіднення)
- Корпус: TO-92 Toshiba
- Монтаж: THT (выводной монтаж)
- Напряжение сток-исток (VDS), за карткою: 50 В
- Тип: N-channel JFET, depletion mode
- VGDS: -50 В
- IDSS: 1,2…14 мА залежно від групи Y/GR/BL
- VGS(off): -0,2…-1,5 В
- PD: 300 мВт
- TJ(max): +125 °C
- Шум: близько 1 dB typ при 1 кГц у контрольних умовах
Функционал
- Коммутация электрическиго нагрузки
Распиновка
Корпус TO-92 (Toshiba 2-5F1D). Если смотреть на плоску сторону корпусу, выводами вниз: 1. Drain (D, Сток) 2. Gate (G, Затвор) 3. Source (S, Исток) Це JFET, тому термін VGS(th) для MOSFET до нього не застосовується; використовується VGS(off).
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Toshiba |
| Пользовательские характеристики | |
| Корпус | TO-92 |
| Число каналов | 1 |
| Максимальна робоча температура, °C | 125 |
| Мінімальна робоча температура, °C | -55 |
| Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт | 50 |
| Полярность | N-Channel |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт | 0,3 |
Информация для заказа
- Цена: 15,08 ₴


