N-Ch 55V; 120A; 200W; 4.1mOhm;
Описание
це N-канальный MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа. Используется в DC-DC преобразователях, автомобильной электронике, BMS, драйверах двигателей, ключах нагрузки та інших импульсных силовых узлах.
Технические характеристики
- Тип / канал: N-канальный MOSFET
- Максимальное напряжение сток-исток (VDS): 55 В
- Максимальный постоянный ток стока (ID): 120 А
- Сопротивление открытого канала (RDS(on)): 4,1 мОм @10 В
- Максимальная рассеиваемая мощность (PD): 200 Вт
- Корпус: TO-220
Функционал
- Работа в DC-DC преобразователях
- Работа в автомобильной электронике
- Работа в BMS
- Управление силовой нагрузкой у драйверних схемах
- Коммутация электрической нагрузки
Распиновка
Корпус TO-220, если смотреть на сторону с маркировкой, выводы вниз: 1. Gate (G, Затвор) 2. Drain (D, Сток) 3. Source (S, Исток). У неізольованому корпусі металлическая задняя пластина/фланец также соединена з Drain (D).
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | PD |
Информация для заказа
- Цена: 45,24 ₴



