N; 650V 20A 45W 500mΩ
Описание
це N-канальный MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа. Транзистор предназначен для швидкої високовольтної комутації в импульсных источниках питания (SMPS), інверторах, PFC-вузлах, преобразователях та інших силовых каскадах.
Технические характеристики
- Тип / канал: N-канальный MOSFET
- Максимальное напряжение сток-исток (VDS): 650 В
- Максимальный постоянный ток стока (ID): 20 А
- Сопротивление открытого канала (RDS(on)): 500 мОм @10 В
- Пороговое напряжение затвор-исток (VGS(th)): ≈4 В
- Максимальная рассеиваемая мощность (PD): 45 Вт
- Рабочая / максимальная температура перехода: -55…+150 °C
- Полный заряд затвора (Qg): ≈58,3 нКл
- Ёмкости: Ciss ≈2,962 нФ; Crss ≈18 пФ
- Корпус: TO-220F
Функционал
- Работа в інверторах
- Работа в вузлах PFC
Распиновка
Корпус TO-220F (FullPak), дивимося на сторону з маркуванням, выводы вниз: 1. Gate (G) 2. Drain (D) 3. Source (S). Зовнішня задня поверхня корпусу електрично ізольована.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | MDD |
Информация для заказа
- Цена: 38,86 ₴



