(N-CH) 500V 134W 4V
Описание
це N-канальный MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа. Транзистор предназначен для швидкої високовольтної комутації в импульсных источниках питания (SMPS), інверторах, PFC-вузлах, преобразователях та інших силовых каскадах.
Технические характеристики
- Тип / канал: N-канальный MOSFET
- Максимальное напряжение сток-исток (VDS): 500 В
- Максимальный постоянный ток стока (ID): 9 А
- Сопротивление открытого канала (RDS(on)): typ ≈0,68 Ом @10 В
- Пороговое напряжение затвор-исток (VGS(th)): 2…4 В (typ до 4 В)
- Максимальное напряжение затвор-исток (VGS): ±30 В
- Максимальная рассеиваемая мощность (PD): ≈135 Вт
- Полный заряд затвора (Qg): ≈43 нКл
- Ёмкости: Ciss ≈1,505 нФ; Coss ≈60 пФ; Crss ≈35 пФ
- Корпус: TO-220AB
Функционал
- Работа в інверторах
- Работа в вузлах PFC
Распиновка
Корпус TO-220AB, если смотреть на сторону с маркировкой, выводы вниз: 1. Gate (G, Затвор) 2. Drain (D, Сток) 3. Source (S, Исток). У неізольованому корпусі металлическая задняя пластина/фланец также соединена з Drain (D).
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | PD |
Информация для заказа
- Цена: 29,58 ₴



