(N-Ch) 60V; 0.3A; 0.35W; 3 Ohm
Описание
це N-канальный MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа. Используется в DC-DC преобразователях, автомобильной электронике, BMS, драйверах двигателей, ключах нагрузки та інших импульсных силовых узлах.
Технические характеристики
- Тип / канал: N-канальный MOSFET
- Максимальное напряжение сток-исток (VDS): 60 В
- Максимальный постоянный ток стока (ID): 0,3 А
- Сопротивление открытого канала (RDS(on)): до 3 Ом
- Пороговое напряжение затвор-исток (VGS(th)): 1…2,5 В
- Максимальное напряжение затвор-исток (VGS): ±20 В
- Максимальная рассеиваемая мощность (PD): 0,35 Вт
- Рабочая / максимальная температура перехода: -55…+150 °C
- Быстродействие / время переключения: td(on) ≈10 нс; td(off) ≈17 нс
- Корпус: SOT-23
Функционал
- Работа в DC-DC преобразователях
- Работа в автомобильной электронике
- Работа в BMS
- Управление силовой нагрузкой у драйверних схемах
- Коммутация электрической нагрузки
Распиновка
Корпус SOT-23, вид сверху: 1. Gate (G, Затвор) 2. Source (S, Исток) 3. Drain (D, Сток).
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | PD |
| Пользовательские характеристики | |
| Корпус | SOT-23 |
| Число каналов | 1 |
| Максимальна робоча температура, °C | 150 |
| Мінімальна робоча температура, °C | -55 |
| Напруга затвор-витік Vgs, Вольт | 20 |
| Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт | 60 |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом | 3 |
| Полярность | N-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт | 1-2,5 |
| Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер | 0,3 |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт | 0,35 |
| Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд | 10 |
| Час закриття транзистора td(off), Наносекунд | 17 |
Информация для заказа
- Цена: 12,18 ₴


