N-ch; 30V; 5.8A; 1.4W; 0.028 Ohm
Описание
це N-канальный Logic-Level MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа. Используется в DC-DC преобразователях, автомобильной электронике, BMS, драйверах двигателей, ключах нагрузки та інших импульсных силовых узлах.
Технические характеристики
- Тип / канал: N-канальный Logic-Level MOSFET
- Максимальное напряжение сток-исток (VDS): 30 В
- Максимальный постоянный ток стока (ID): 5,8 А
- Сопротивление открытого канала (RDS(on)): max ≈28 мОм @10 В; ≈33 мОм @4,5 В; ≈52 мОм @2,5 В
- Пороговое напряжение затвор-исток (VGS(th)): 0,7…1,4 В
- Максимальное напряжение затвор-исток (VGS): ±12 В
- Максимальная рассеиваемая мощность (PD): 1,4 Вт
- Рабочая / максимальная температура перехода: -55…+150 °C
- Быстродействие / время переключения: td(on) ≈5 нс; td(off) ≈40 нс
- Корпус: SOT-23
Функционал
- Работа в DC-DC преобразователях
- Работа в автомобильной электронике
- Работа в BMS
- Управление силовой нагрузкой у драйверних схемах
- Коммутация электрической нагрузки
Распиновка
Корпус SOT-23, вид сверху: 1. Gate (G, Затвор) 2. Source (S, Исток) 3. Drain (D, Сток).
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | PD |
| Пользовательские характеристики | |
| Корпус | SOT-23 |
| Число каналов | 1 |
| Максимальна робоча температура, °C | 150 |
| Мінімальна робоча температура, °C | -55 |
| Напруга затвор-витік Vgs, Вольт | 12 |
| Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт | 30 |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом | 0,052 |
| Полярность | N-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт | 0,7-1,4 |
| Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер | 5,8 |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт | 1,4 |
| Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд | 5 |
| Час закриття транзистора td(off), Наносекунд | 40 |
Информация для заказа
- Цена: 6,61 ₴


