Корзина
НИКОМ радио-маркет
Корзина
Транзистор полевой IRF640S, фото 2

Транзистор полевой IRF640S

  • Готово к отправке
  • Код: A118375

45,24 ₴

Минимальная сумма заказа на сайте — 200 ₴

Транзистор полевой IRF640S
Транзистор полевой IRF640SГотово к отправке
45,24 ₴
+380 (96) 723-12-25
  • +380 (95) 427-17-95
  • +380 (93) 170-21-75
  • +380 (46) 266-50-90
+380 (96) 723-12-25
  • +380 (95) 427-17-95
  • +380 (93) 170-21-75
  • +380 (46) 266-50-90
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
N; 200V; 18A; 125W; 0,18 Ohm

Описание

це N-канальный MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа. Используется в DC-DC преобразователях, автомобильной электронике, BMS, драйверах двигателей, ключах нагрузки та інших импульсных силовых узлах.

Технические характеристики

  • Тип / канал: N-канальный MOSFET
  • Максимальное напряжение сток-исток (VDS): 200 В
  • Максимальный постоянный ток стока (ID): 18 А
  • Сопротивление открытого канала (RDS(on)): 0,18 Ом
  • Пороговое напряжение затвор-исток (VGS(th)): 2…4 В
  • Максимальное напряжение затвор-исток (VGS): ±20 В
  • Максимальная рассеиваемая мощность (PD): 125 Вт
  • Рабочая / максимальная температура перехода: -65…+150 °C
  • Быстродействие / время переключения: td(on) ≈17 нс; td(off) ≈27 нс
  • Корпус: D2-Pack

Функционал

  • Работа в DC-DC преобразователях
  • Работа в автомобильной электронике
  • Работа в BMS
  • Управление силовой нагрузкой у драйверних схемах
  • Коммутация электрической нагрузки

Распиновка

Корпус D2-Pack, стандартний силовий SMD MOSFET: 1. Gate (G) 2. Drain (D) 3. Source (S). Большая тепловая площадка/фланец также электрически соединена з Drain (D).

Характеристики
Основные
ПроизводительSTM
Пользовательские характеристики
КорпусD2-PAK
Число каналов1
Максимальна робоча температура, °C150
Мінімальна робоча температура, °C-65
Напруга затвор-витік Vgs, Вольт20
Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт200
Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом0,18
ПолярностьN-Channel
Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт2-4
Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер18
Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт125
Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд17
Час закриття транзистора td(off), Наносекунд27
Информация для заказа
  • Цена: 45,24 ₴