P-Ch; 30V 5.3A; 2,5W; 0,05 Ohm
Описание
це P-канальный MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа. Используется переважно для верхней коммутации питания, защиты от переполюсовки, DC-DC перетворювачів і силовых ключей.
Технические характеристики
- Тип / канал: P-канальный MOSFET
- Максимальное напряжение сток-исток (VDS): -30 В
- Максимальный постоянный ток стока (ID): -5,3 А
- Максимальный импульсный ток стока (IDM): -20 А
- Сопротивление открытого канала (RDS(on)): max ≈55 мОм @-10 В; ≈90 мОм @-4,5 В
- Максимальное напряжение затвор-исток (VGS): ±20 В
- Максимальная рассеиваемая мощность (PD): 2,5 Вт
- Рабочая / максимальная температура перехода: -55…+150 °C
- Корпус: SO-8
Функционал
- Работа в DC-DC преобразователях
- Коммутация электрической нагрузки
- Защита линий питания від переполюсовки
- Верхняя комутація живлення
Распиновка
Корпус SO-8, одиночний силовий MOSFET, вид сверху: 1–3. Source (S) 4. Gate (G) 5–8. Drain (D).
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | PD |
Информация для заказа
- Цена: 9,05 ₴


