P-ch; -100V; -6,6A; 44W; 530mOhm
Описание
це P-канальный MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа. Используется переважно для верхней коммутации питания, защиты от переполюсовки, DC-DC перетворювачів і силовых ключей.
Технические характеристики
- Тип / канал: P-канальный MOSFET
- Максимальное напряжение сток-исток (VDS): -100 В
- Максимальный постоянный ток стока (ID): -6,6 А
- Максимальный импульсный ток стока (IDM): -26,4 А
- Сопротивление открытого канала (RDS(on)): typ 0,41 Ом; max 0,53 Ом @-10 В
- Пороговое напряжение затвор-исток (VGS(th)): -2…-4 В
- Максимальное напряжение затвор-исток (VGS): ±30 В
- Максимальная рассеиваемая мощность (PD): 44 Вт
- Рабочая / максимальная температура перехода: -55…+150 °C
- Быстродействие / время переключения: td(on) ≈30 нс; td(off) ≈50 нс
- Корпус: IPAK
Функционал
- Работа в DC-DC преобразователях
- Коммутация электрической нагрузки
- Защита линий питания від переполюсовки
- Верхняя комутація живлення
Распиновка
Корпус IPAK, если смотреть на сторону с маркировкой, выводы вниз: 1. Gate (G, Затвор) 2. Drain (D, Сток) 3. Source (S, Исток). У неізольованому корпусі металлическая задняя пластина/фланец также соединена з Drain (D).
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Fairchild Semiconductor |
| Пользовательские характеристики | |
| Корпус | I-PAK |
| Число каналов | 1 |
| Максимальна робоча температура, °C | 150 |
| Мінімальна робоча температура, °C | -55 |
| Напруга затвор-витік Vgs, Вольт | 30 |
| Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт | 100 |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом | 0,53 |
| Полярность | P-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт | 2-4 |
| Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер | 6,6 |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт | 44 |
| Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд | 30 |
| Час закриття транзистора td(off), Наносекунд | 50 |
Информация для заказа
- Цена: 29 ₴



