Корзина
НИКОМ радио-маркет
Корзина

Транзистор полевой NCE6008AS

  • Готово к отправке
  • Код: A118341

22,62 ₴

Минимальная сумма заказа на сайте — 200 ₴

Транзистор полевой NCE6008AS
Транзистор полевой NCE6008ASГотово к отправке
22,62 ₴
+380 (96) 723-12-25
  • +380 (95) 427-17-95
  • +380 (93) 170-21-75
  • +380 (46) 266-50-90
+380 (96) 723-12-25
  • +380 (95) 427-17-95
  • +380 (93) 170-21-75
  • +380 (46) 266-50-90
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
N-Ch; 60V; 8A; 2,1W; 15,6 mOhm

Описание

це N-канальный MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа. Используется в DC-DC преобразователях, автомобильной электронике, BMS, драйверах двигателей, ключах нагрузки та інших импульсных силовых узлах.

Технические характеристики

  • Тип / канал: N-канальный MOSFET
  • Максимальное напряжение сток-исток (VDS): 60 В
  • Максимальный постоянный ток стока (ID): 8 А
  • Сопротивление открытого канала (RDS(on)): typ 15,6 мОм / max 20 мОм @10 В; max 28 мОм @4,5 В
  • Пороговое напряжение затвор-исток (VGS(th)): 1…2,2 В
  • Максимальное напряжение затвор-исток (VGS): ±20 В
  • Максимальная рассеиваемая мощность (PD): 2,1 Вт
  • Рабочая / максимальная температура перехода: -55…+150 °C
  • Полный заряд затвора (Qg): ≈38,5 нКл
  • Быстродействие / время переключения: td(on) ≈7 нс; td(off) ≈29 нс
  • Корпус: SO-8

Функционал

  • Работа в DC-DC преобразователях
  • Работа в автомобильной электронике
  • Работа в BMS
  • Управление силовой нагрузкой у драйверних схемах
  • Коммутация электрической нагрузки

Распиновка

Корпус SO-8, одиночний силовий MOSFET, вид сверху: 1–3. Source (S) 4. Gate (G) 5–8. Drain (D).

Характеристики
Основные
ПроизводительPD
Пользовательские характеристики
КорпусSO-8
Число каналов1
Максимальна робоча температура, °C150
Мінімальна робоча температура, °C-55
Напруга затвор-витік Vgs, Вольт20
Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт60
Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом0,028
ПолярностьN-Channel
Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт1-2,2
Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер8
Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт2,1
Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд7
Час закриття транзистора td(off), Наносекунд29
Информация для заказа
  • Цена: 22,62 ₴