Dual N-ch; 20V; 12V; 7A; 2W; 0,045 Ohm
Описание
це двойной N-канальный MOSFET (2×N), що містить два силові ключі в одному корпусі. Таке виконання використовується в DC-DC преобразователях, вузлах керування живленням, напівмостах, BMS та компактних імпульсних схемах.
Технические характеристики
- Тип / канал: двойной N-канальный MOSFET (2×N)
- Максимальное напряжение сток-исток (VDS): 20 В на канал
- Максимальный постоянный ток стока (ID): 7 А
- Максимальный импульсный ток стока (IDM): ≈28 А на канал
- Сопротивление открытого канала (RDS(on)): max ≈30 мОм @4,5 В; картка вказує 45 мОм
- Пороговое напряжение затвор-исток (VGS(th)): 0,6…1,2 В
- Максимальное напряжение затвор-исток (VGS): ±12 В
- Максимальная рассеиваемая мощность (PD): 2 Вт
- Рабочая / максимальная температура перехода: -55…+150 °C
- Быстродействие / время переключения: td(on) ≈7,6 нс; td(off) ≈110 нс
- Корпус: SO-8
Функционал
- Работа в DC-DC преобразователях
- Работа в BMS
- Коммутация электрической нагрузки
- Работа в полумостовых схемах
Распиновка
Корпус SO-8, вид сверху, ключ/точка визначає вивід 1: 1. S1 2. G1 3. S2 4. G2 5. D2 6. D2 7. D1 8. D1. У корпусі знаходяться два незалежні N-канальні MOSFET.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | IR |
| Пользовательские характеристики | |
| Корпус | SO-8 |
| Число каналов | 2 |
| Максимальна робоча температура, °C | 150 |
| Мінімальна робоча температура, °C | -55 |
| Напруга затвор-витік Vgs, Вольт | 12 |
| Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт | 20 |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом | 0,045 |
| Полярность | N-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт | 0,6-1,2 |
| Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер | 7 |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт | 2 |
| Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд | 7,6 |
| Час закриття транзистора td(off), Наносекунд | 110 |
Информация для заказа
- Цена: 24,36 ₴


