P; 160V; 7A; 100W, пара 2SK1058
Описание
це P-канальный силовий MOSFET для лінійних/аудіо застосувань. Транзистор предназначен для силової або сигнальної комутації та может использоваться в таких вузлах: DC-DC перетворювачі, інвертори, импульсные источники питания, драйвери та силові комутаційні вузли.
Технические характеристики
- Тип: P-канальный силовий MOSFET для лінійних/аудіо застосувань
- Корпус: TO3P
- Монтаж: THT (выводной монтаж)
- Напряжение сток-исток (VDS), за карткою: 160 В
- Постоянный ток стока (ID), за карткою: 7 А
- Рассеиваемая мощность (PD), за карткою: 100 Вт
- Тип: P-channel lateral MOSFET для аудіопідсилювачів
- VDS: -160 В
- ID: -7 А
- PD: 100 Вт
- Комплементарна пара: 2SK1058
Функционал
- Работа в DC-DC перетворювачах
- Работа в інверторах
- Работа в імпульсних джерелах живлення
- Управление силовим нагрузким у драйверних схемах
- Силовая или сигнальная коммутация
Распиновка
Корпус TO-3P, вид на сторону с маркировкой, виводи вниз (Renesas): 1. Gate (G) 2. Source (S) — з ним також электрически пов'язаний фланець корпусу 3. Drain (D)
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Renesas |
| Пользовательские характеристики | |
| Корпус | TO-3P |
| Число каналов | 1 |
| Максимальна робоча температура, °C | 150 |
| Мінімальна робоча температура, °C | -55 |
| Напруга затвор-витік Vgs, Вольт | 15 |
| Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт | 160 |
| Полярность | P-Channel |
| Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер | 7 |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт | 100 |
| Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд | 230 |
| Час закриття транзистора td(off), Наносекунд | 110 |
Информация для заказа
- Цена: 537,08 ₴



