N-ch; 60V; 0,3A; 0,83W; 5,3 Ohm
Описание
це N-канальный MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа. Используется в DC-DC преобразователях, автомобильной электронике, BMS, драйверах двигателей, ключах нагрузки та інших импульсных силовых узлах.
Технические характеристики
- Тип / канал: N-канальный MOSFET
- Максимальное напряжение сток-исток (VDS): 60 В
- Максимальный постоянный ток стока (ID): 0,3 А
- Максимальный импульсный ток стока (IDM): 1,2 А
- Сопротивление открытого канала (RDS(on)): max 5,0 Ом @10 В; max 5,3 Ом @4,5 В
- Максимальное напряжение затвор-исток (VGS): ±15 В
- Максимальная рассеиваемая мощность (PD): 0,83 Вт
- Рабочая / максимальная температура перехода: -65…+150 °C
- Корпус: SOT-23
Функционал
- Работа в DC-DC преобразователях
- Работа в автомобильной электронике
- Работа в BMS
- Управление силовой нагрузкой у драйверних схемах
- Коммутация электрической нагрузки
Распиновка
Корпус SOT-23, вид сверху: 1. Gate (G, Затвор) 2. Source (S, Исток) 3. Drain (D, Сток).
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | NXP Semiconductors |
| Пользовательские характеристики | |
| Корпус | SOT-23 |
| Число каналов | 1 |
| Максимальна робоча температура, °C | 150 |
| Мінімальна робоча температура, °C | -65 |
| Напруга затвор-витік Vgs, Вольт | 15 |
| Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт | 60 |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом | 5,3 |
| Полярность | N-Channel |
| Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер | 0,3 |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт | 0,83 |
Информация для заказа
- Цена: 5,10 ₴


