Корзина
НИКОМ радио-маркет
Корзина

Транзистор полевой IRF7404

  • Готово к отправке
  • Код: A118234

24,36 ₴

Минимальная сумма заказа на сайте — 200 ₴

Транзистор полевой IRF7404
Транзистор полевой IRF7404Готово к отправке
24,36 ₴
+380 (96) 723-12-25
  • +380 (95) 427-17-95
  • +380 (93) 170-21-75
  • +380 (46) 266-50-90
+380 (96) 723-12-25
  • +380 (95) 427-17-95
  • +380 (93) 170-21-75
  • +380 (46) 266-50-90
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
P-ch; MOSFET; -20V; 6,7A; 2,5W; 0,04 Ohm

Описание

це P-канальный MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа. Транзистор предназначен для силової або сигнальної комутації та может использоваться в таких вузлах: низковольтные DC-DC перетворювачі, BMS, автомобильная электроника, драйверы двигателей, ключи нагрузки та системы управления питанием.

Технические характеристики

  • Тип: P-канальный MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа
  • Корпус: SO-8
  • Монтаж: SMD (поверхностный монтаж)
  • Напряжение сток-исток (VDS), за карткою: -20 В
  • Постоянный ток стока (ID), за карткою: 6,7 А
  • Рассеиваемая мощность (PD), за карткою: 2,5 Вт
  • Сопротивление открытого канала (RDS(on)), за карткою: 0,04 Ом

Функционал

  • Работа в DC-DC перетворювачах
  • Управление силовим нагрузким у драйверних схемах
  • Управление силовыми линиями у BMS
  • Коммутация нагрузки
  • Управление линиями питания
  • Силовая или сигнальная коммутация

Распиновка

Корпус SO-8, одиночний силовий MOSFET. Типове розташування силових контактів: 1–3. Source (S) 4. Gate (G) 5–8. Drain (D) Перед заміною або трасуванням PCB бажано звірити datasheet конкретної ревізії.

Характеристики
Основные
ПроизводительIR
Пользовательские характеристики
КорпусSO-8
Число каналов1
Максимальна робоча температура, °C150
Мінімальна робоча температура, °C-55
Напруга затвор-витік Vgs, Вольт12
Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт20
Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом0,04
ПолярностьP-Channel
Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт0,7
Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер6,7
Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт2,5
Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд14
Час закриття транзистора td(off), Наносекунд100
Информация для заказа
  • Цена: 24,36 ₴