P-ch; 100V; 12A; 88W; 0.3 Ohm
Описание
IRF9530S — мощный P-канальный MOSFET-транзистор в корпусе D2PAK (TO-263) для поверхностного монтажа, предназначенный для коммутации нагрузок в силовых электронных схемах. Поддерживает быстрое переключение и имеет сопротивление открытого канала 0,30 Ом.
Технические характеристики
- Тип транзистора: MOSFET, HEXFET
- Тип канала: P-канальный
- Максимальное напряжение сток-исток (VDS): -100 В
- Максимальный ток стока (ID): -12 А при температуре корпуса 25 °C
- Сопротивление открытого канала (RDS(on)): 0,30 Ом при VGS = -10 В
- Максимальная рассеиваемая мощность: 88 Вт
- Диапазон рабочих температур: от -55 до +175 °C
- Корпус: D2PAK (TO-263)
- Тип монтажа: SMD
- Распиновка: пин 1 — затвор (Gate, G); пин 2 — сток (Drain, D); пин 3 — исток (Source, S)
- Задняя металлическая подложка корпуса соединена со стоком (Drain)
Функционал
- Коммутация силовых нагрузок
- Работа в преобразователях напряжения
- Управление электродвигателями
- Работа в усилительных схемах
- Управление нагрузкой с помощью ШИМ (PWM)
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | IR |
| Пользовательские характеристики | |
| Корпус | D2-PAK |
| Число каналов | 1 |
| Максимальна робоча температура, °C | 175 |
| Мінімальна робоча температура, °C | -55 |
| Напруга затвор-витік Vgs, Вольт | 20 |
| Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт | 100 |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом | 0,3 |
| Полярность | P-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт | 2-4 |
| Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер | 12 |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт | 88 |
| Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд | 12 |
| Час закриття транзистора td(off), Наносекунд | 31 |
Информация для заказа
- Цена: 35,96 ₴



