НИКОМ радио-маркет
Транзистор полевой FDD5614P, фото 2

Транзистор полевой FDD5614P

  • Готово к отправке
  • Код: A118321

25,52 ₴

Транзистор полевой FDD5614P
Транзистор полевой FDD5614PГотово к отправке
25,52 ₴

Компания временно не принимает заказы

возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
P-ch -60V -14A 55mΩ

Описание

це P-канальный MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа. Транзистор предназначен для силової або сигнальної комутації та может использоваться в таких вузлах: низковольтные DC-DC перетворювачі, BMS, автомобильная электроника, драйверы двигателей, ключи нагрузки та системы управления питанием.

Технические характеристики

  • Тип: P-канальный MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа
  • Корпус: TO252
  • Монтаж: SMD (поверхностный монтаж)
  • Напряжение сток-исток (VDS), за карткою: -60 В
  • Постоянный ток стока (ID), за карткою: -14 А
  • Сопротивление открытого канала (RDS(on)), за карткою: 55 мОм

Функционал

  • Работа в DC-DC перетворювачах
  • Управление силовим нагрузким у драйверних схемах
  • Управление силовыми линиями у BMS
  • Коммутация нагрузки
  • Управление линиями питания
  • Силовая или сигнальная коммутация

Распиновка

Корпус TO252. Для стандартного одиночного силового MOSFET, якщо дивитися згідно креслення корпусу: 1. Gate (G, Затвор) 2. Drain (D, Сток) 3. Source (S, Исток) Велика металлическая/тепловая площадка обычно электрически соединена з Drain (D).

Характеристики
Основные
ПроизводительFairchild Semiconductor
Пользовательские характеристики
КорпусD-PAK
Число каналов1
Максимальна робоча температура, °C175
Мінімальна робоча температура, °C-55
Напруга затвор-витік Vgs, Вольт20
Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт60
Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом0,185
ПолярностьN-Channel
Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт1-3
Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер15
Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт42
Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд14
Час закриття транзистора td(off), Наносекунд34
Информация для заказа
  • Цена: 25,52 ₴