N-Ch; 20V; 6,5A; 2W; 0,03Ohm;
Описание
це N-канальный MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа. Транзистор предназначен для силової або сигнальної комутації та может использоваться в таких вузлах: низковольтные DC-DC перетворювачі, BMS, автомобильная электроника, драйверы двигателей, ключи нагрузки та системы управления питанием.
Технические характеристики
- Тип: N-канальный MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа
- Корпус: Micro6
- Монтаж: SMD (поверхностный монтаж)
- Напряжение сток-исток (VDS), за карткою: 20 В
- Постоянный ток стока (ID), за карткою: 6,5 А
- Рассеиваемая мощность (PD), за карткою: 2 Вт
- Сопротивление открытого канала (RDS(on)), за карткою: 0,03 Ом
- Особенности: Logic Level / керування зниженою напругою затвора (якщо це підтверджує datasheet конкретної ревізії)
Функционал
- Работа в DC-DC перетворювачах
- Управление силовим нагрузким у драйверних схемах
- Управление силовыми линиями у BMS
- Коммутация нагрузки
- Управление линиями питания
- Силовая или сигнальная коммутация
Распиновка
Корпус Micro6 / Micro6. Для Micro6 IR силових MOSFET цієї серії: 1. Drain (D) 2. Drain (D) 3. Gate (G) 4. Source (S) 5. Drain (D) 6. Drain (D)
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | IR |
| Пользовательские характеристики | |
| Корпус | SOT-23-6 |
| Число каналов | 1 |
| Максимальна робоча температура, °C | 150 |
| Мінімальна робоча температура, °C | -55 |
| Напруга затвор-витік Vgs, Вольт | 12 |
| Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт | 20 |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом | 0,03 |
| Полярность | N-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт | 0,6-1,2 |
| Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер | 6,5 |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт | 2 |
| Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд | 9 |
| Час закриття транзистора td(off), Наносекунд | 36 |
Информация для заказа
- Цена: 20,88 ₴



