НИКОМ радио-маркет
Транзистор полевой IRFR110, фото 2

Транзистор полевой IRFR110

  • Готово к отправке
  • Код: A118310

27,84 ₴

Транзистор полевой IRFR110
Транзистор полевой IRFR110Готово к отправке
27,84 ₴

Компания временно не принимает заказы

возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
(N-Ch) 100V; 4,3A; 25W; 0,54Ohm

Описание

це N-канальный MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа. Транзистор предназначен для силової або сигнальної комутації та может использоваться в таких вузлах: DC-DC перетворювачі, інвертори, импульсные источники питания, драйвери та силові комутаційні вузли.

Технические характеристики

  • Тип: N-канальный MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа
  • Корпус: D-PAK
  • Монтаж: SMD (поверхностный монтаж)
  • Напряжение сток-исток (VDS), за карткою: 100 В
  • Постоянный ток стока (ID), за карткою: 4,3 А
  • Рассеиваемая мощность (PD), за карткою: 25 Вт
  • Сопротивление открытого канала (RDS(on)), за карткою: 0,54 Ом

Функционал

  • Работа в DC-DC перетворювачах
  • Работа в інверторах
  • Работа в імпульсних джерелах живлення
  • Управление силовим нагрузким у драйверних схемах
  • Силовая или сигнальная коммутация

Распиновка

Корпус D-PAK. Для стандартного одиночного силового MOSFET, якщо дивитися згідно креслення корпусу: 1. Gate (G, Затвор) 2. Drain (D, Сток) 3. Source (S, Исток) Велика металлическая/тепловая площадка обычно электрически соединена з Drain (D).

Характеристики
Основные
ПроизводительIR
Пользовательские характеристики
КорпусD-PAK
Число каналов1
Максимальна робоча температура, °C150
Мінімальна робоча температура, °C-55
Напруга затвор-витік Vgs, Вольт20
Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт100
Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом0,54
ПолярностьN-Channel
Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт2-4
Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер4,3
Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт25
Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд7
Час закриття транзистора td(off), Наносекунд15
Информация для заказа
  • Цена: 27,84 ₴