НИКОМ радио-маркет
Транзистор полевой IRF530N, фото 2

Транзистор полевой IRF530N

  • Готово к отправке
  • Код: A118302

22,62 ₴

Транзистор полевой IRF530N
Транзистор полевой IRF530NГотово к отправке
22,62 ₴

Компания временно не принимает заказы

возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
(N-Ch) 100V; 17A; 70W; 0,09 Ohm

Описание

це N-канальный MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа. Транзистор предназначен для силової або сигнальної комутації та может использоваться в таких вузлах: DC-DC перетворювачі, інвертори, импульсные источники питания, драйвери та силові комутаційні вузли.

Технические характеристики

  • Тип: N-канальный MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа
  • Корпус: TO-220AB
  • Монтаж: THT (выводной монтаж)
  • Напряжение сток-исток (VDS), за карткою: 100 В
  • Постоянный ток стока (ID), за карткою: 17 А
  • Рассеиваемая мощность (PD), за карткою: 70 Вт
  • Сопротивление открытого канала (RDS(on)), за карткою: 0,09 Ом

Функционал

  • Работа в DC-DC перетворювачах
  • Работа в інверторах
  • Работа в імпульсних джерелах живлення
  • Управление силовим нагрузким у драйверних схемах
  • Силовая или сигнальная коммутация

Распиновка

Корпус TO-220AB. Если смотреть на сторону с маркировкой, выводами вниз: 1. Gate (G, Затвор) 2. Drain (D, Сток) 3. Source (S, Исток) Металева задня пластина/фланець у звичайному неізольованому корпусі обычно соединена з Drain.

Характеристики
Основные
ПроизводительIR
Пользовательские характеристики
КорпусTO-220
Число каналов1
Максимальна робоча температура, °C175
Мінімальна робоча температура, °C-55
Напруга затвор-витік Vgs, Вольт20
Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт100
Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом0,09
ПолярностьN-Channel
Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт2-4
Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер17
Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт70
Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд10
Час закриття транзистора td(off), Наносекунд35
Информация для заказа
  • Цена: 22,62 ₴