НИКОМ радио-маркет

Транзистор полевой IRF7410

  • Готово к отправке
  • Код: A118298

59,74 ₴

Транзистор полевой IRF7410
Транзистор полевой IRF7410Готово к отправке
59,74 ₴

Компания временно не принимает заказы

возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
P-ch; MOSFET; 12V; 16A; 2,5W; 0,07 Ohm

Описание

це P-канальный MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа. Транзистор предназначен для силової або сигнальної комутації та может использоваться в таких вузлах: низковольтные DC-DC перетворювачі, BMS, автомобильная электроника, драйверы двигателей, ключи нагрузки та системы управления питанием.

Технические характеристики

  • Тип: P-канальный MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа
  • Корпус: SO-8
  • Монтаж: SMD (поверхностный монтаж)
  • Напряжение сток-исток (VDS), за карткою: 12 В
  • Постоянный ток стока (ID), за карткою: 16 А
  • Рассеиваемая мощность (PD), за карткою: 2,5 Вт
  • Сопротивление открытого канала (RDS(on)), за карткою: 0,07 Ом

Функционал

  • Работа в DC-DC перетворювачах
  • Управление силовим нагрузким у драйверних схемах
  • Управление силовыми линиями у BMS
  • Коммутация нагрузки
  • Управление линиями питания
  • Силовая или сигнальная коммутация

Распиновка

Корпус SO-8, одиночний силовий MOSFET. Типове розташування силових контактів: 1–3. Source (S) 4. Gate (G) 5–8. Drain (D) Перед заміною або трасуванням PCB бажано звірити datasheet конкретної ревізії.

Характеристики
Основные
ПроизводительIR
Пользовательские характеристики
КорпусSO-8
Число каналов1
Максимальна робоча температура, °C150
Мінімальна робоча температура, °C-55
Напруга затвор-витік Vgs, Вольт8
Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт12
Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом0,013
ПолярностьP-Channel
Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт0,4-0,9
Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер16
Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт2,5
Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд13
Час закриття транзистора td(off), Наносекунд271
Информация для заказа
  • Цена: 59,74 ₴